單極霍爾開(kāi)關(guān)
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產(chǎn)品說(shuō)明 規(guī)格參數(shù)
YY119廣泛應(yīng)用于開(kāi)環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器、鉗流表
GaAs砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體，其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價(jià)格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱，制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的可靠性和穩(wěn)定性，更適合用于安全性、速度要求更高的領(lǐng)域(諸如安防、精密設(shè)備制造等)。
